2024年之前智能手机存储已经就绪

5G网络峰值速率在1Gbit/s左右，为4G网络速度的10倍，1GB的文件，10秒左右就可以下来，可以说，5G网络的高速是非常惊人的。与5G网络适配，对于存储带宽的需求在100MB/s左右。

5G下载并不是带宽要求最高在的应用，相比超高分辨率相机、增强现实/虚拟现实、游戏和8K视频等新兴应用，以8K视频为例，30帧/s 拍摄对数据存储带宽的需求达到1,000MB/s左右，是5G网络的10倍。因此，对于一款智能手机内部数据存储产品而言，1,000MB/s将是一个衡量的门槛，只有达到这样的一个水准，才能够被称为未来就绪的存储产品。

按照判断：1,000MB/s应该能够满足2024年之前，智能手机应用对带宽存储新能的需求。

西部数据公司日前发布了最新的第二代UFS 3.1存储解决方案——西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件就是这样一款产品。

从性能指标上看，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的顺序读写能力为2,000MB/s；顺序写入峰值带宽为1,550MB/s，远远高于1,000MB/s的门槛。

那么，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件在技术上是怎么做到的呢？

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳透露，主要依赖于闪存颗粒、闪存控制器和固件技术的进步。

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳女士以及西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红先生

以西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件所使用的第六代162层3D闪存颗粒为例，它是西部数据与铠侠10年联合研发闪存颗粒的第15代产品，它没有按照传统八层交错式存储孔阵列设计，而是通过第六代创新架构将横向单元阵列密度提高了约10%，结合162层堆叠式垂直设计，使每个晶圆的制造位增加了70%；通过阵列CMOS电路布局和四路同时操作，性能可提高近2.4倍，读取延迟减少约10%，I/O性能也提高了约66%。

有了第六代162层3D闪存颗粒的基础，配合西部数据独立研发的控制器技术和固件设计，在满足JEDEC UFS 3.1规范要求的基础上，借助西部数据第七代Smart SLC Write Booster 技术，西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件进一步融合JEDEC标准规范，实现了前所未有的竞争力。

文芳表示：西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是iNAND系列产品的新成员，十多年来，该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS 3.1解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。西部数据iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件样品现已开始供货。容量版本有128GB、256GB和512GB三种类型。