下一代存储技术的希望：用锗、硅、铬可以制作反铁磁半导体

在一项新研究中，密歇根理工大学的物理学家们探索了新材料，在开发新的大容量、小尺寸数据存储技术的道路上迈出了一步。

研究于2月12日发表在《纳米快报》上，标题为“Cr-Doped Ge-Core/Si-Shell Nanowire: An Antiferromagnetic Semiconductor”(铬掺杂锗核/硅壳纳米线：一种反铁磁半导体)，通讯作者为密歇根理工大学物理系的Ranjit Pati。

研究发现，具有锗核和硅壳的掺铬纳米线可以制作成反铁磁半导体。之前研究证明了利用电流和激光可以操纵反铁磁材料中的单个磁态，在太赫兹频率——比我们当前数据存储设备中使用的频率快得多——下具备自旋动力。

此外，研究揭示了决定反铁磁性的机制。这种机制被称为超交换，它控制着电子的自旋和使它们具有反铁磁性的反平行排列。在纳米线中，锗电子充当着未连接的铬原子之间的中间人、交换者。

译/前瞻经济学人APP资讯组

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