三星3nm芯片成功流片！性能比台积电更强

在半导体领域，5nm工艺之后，是什么制程？按照现在的时间线，应该是4nm，然后明年大规模量产3nm。

事实上，4nm是5nm的进一步改良，优势在于性能、功耗继续优化，同时设计上彼此兼容，客户能以几乎相同的成本拿到新工艺。

而3nm才是5nm真正的迭代升级，目前台积电和三星都在筹备先进制程。

昨天晚间消息，据外媒报道，三星宣布，自家3nm制程技术已经正式流片，采用GAA架构（环绕栅极晶体管），性能优于台积电的3nm FinFET架构（鳍式场效应晶体管）。

三星表示，3nm制程流片进度是和新思科技合作完成，在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。

比如在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

其实这一方面有争论，3nm还没有最终量产装机，GAA不见得能绝对超过FinFET。毕竟只是三星一方面的说法，谁也不会说自家的瓜不甜。

时间方面，既然已经流片，那么距离三星3nm大规模量产也不远了，而台积电方面，则是定于今年风险试产3nm，2022年投入大规模量产。