Loading… 三星3nm芯片成功流片!性能比台积电更强_TOM资讯
首页 > 资讯 > 正文
Qzone
微博
微信

三星3nm芯片成功流片!性能比台积电更强

安兔兔    2021-06-30 14:55

在半导体领域,5nm工艺之后,是什么制程?按照现在的时间线,应该是4nm,然后明年大规模量产3nm。

事实上,4nm是5nm的进一步改良,优势在于性能、功耗继续优化,同时设计上彼此兼容,客户能以几乎相同的成本拿到新工艺。

而3nm才是5nm真正的迭代升级,目前台积电和三星都在筹备先进制程。

三星3nm芯片成功流片!性能比台积电更强

昨天晚间消息,据外媒报道,三星宣布,自家3nm制程技术已经正式流片,采用GAA架构(环绕栅极晶体管),性能优于台积电的3nm FinFET架构(鳍式场效应晶体管)。

三星表示,3nm制程流片进度是和新思科技合作完成,在技术性能上,GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。

比如在同等尺寸结构下,GAA的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

其实这一方面有争论,3nm还没有最终量产装机,GAA不见得能绝对超过FinFET。毕竟只是三星一方面的说法,谁也不会说自家的瓜不甜。

时间方面,既然已经流片,那么距离三星3nm大规模量产也不远了,而台积电方面,则是定于今年风险试产3nm,2022年投入大规模量产。

三星3nm芯片成功流片!性能比台积电更强
广告
责任编辑: 3976DBC

责任编辑: 3976DBC
人家也是有底线的啦~
广告