开创性突破！科学家开发基于化合物半导体的存储器：存储时间为闪存1000倍

近日，科学家展示了一种被称为ULTRARAM的开创性专利计算机存储器，这是向其大规模生产迈出的重要一步。

ULTRARAM是一种具有特殊性能的新型存储器。它将数据存储器（如闪存）的非挥发性与工作存储器（如DRAM）的速度、能源效率和耐用性结合起来。为了做到这一点，它利用了化合物半导体的独特特性，这些特性通常用于LEDS、激光二极管和红外探测器等光子设备，但不用于数字电子，因为数字电子是硅的“专利”。

现在，在兰卡斯特大学物理系和工程系以及华威大学物理系的合作下，ULTRARAM首次在硅片上制成。硅制成的ULTRARAM是研究的一个巨大进步，它克服了晶格不匹配、从元素半导体到化合物半导体的改变等多重挑战。

由于硅芯片制造行业的成熟度，在硅晶圆上实施数字电子技术对其商业化至关重要。

值得注意的是，硅设备上的ULTRARAM实际上超过了以前在砷化镓化合物半导体晶圆上的技术，研究员推断，其存储时间至少为1000年，格式化循环次数至少为1000万次，超过闪存一百到一千倍。

该研究论文题为'ULTRARAM: A Low‐Energy, High‐Endurance, Compound‐Semiconductor Memory on Silicon'，已发表在《先进电子材料》期刊上。

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