IEEE国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting, IEDM)是半导体器件领域的全球顶级学术会议,被誉为该领域的“奥林匹克盛会”。近日,2025年IEDM大会入选论文名单正式公布,论文总数再创新高。本文将通过关键数据深度解读全球研究格局。
全球概览:论文数量再破纪录,高校科研机构贡献超七成
2025年IEDM入选论文达到298篇,较去年(2024年274篇)增长8.7%,再次突破历史纪录,显示出全球半导体研究的持续创新能力。从机构类型来看,高校与研究机构是绝对主力,贡献了75% 的论文,企业贡献约25%。
全球TOP10:最具影响力的入选机构盘点
全球顶尖机构的入选论文数量排名竞争异常激烈。按照第一作者所在机构统计,北京大学入选21篇,以绝对优势继续蝉联全球第一,彰显其在国际领域的顶尖地位。随后依次为比利时微电子中心(19篇)、佐治亚理工学院(13篇)、韩国科学技术院(12篇)、三星电子(12篇)、台积电(9篇)、新加坡国立大学(9篇)、IBM研究院(8篇)、斯坦福大学(8篇)、中国科学院微电子研究所(8篇)。
中美对比:入选论文数量解析
IEDM 2025中国入选论文共101篇,其中中国内地67篇、中国台湾27篇、中国香港7篇。
按照第一作者所在机构统计,中国内地的67篇论文来自20个机构。北京大学21篇(较去年增加6篇)、中国科学院微电子研究所8篇(较去年增加2篇)、清华大学6篇、南京大学(4篇)、中国科学技术大学(4篇)、东南大学(3篇)、上海交通大学(3篇)、西安电子科技大学(3篇)、北京航空航天大学(2篇)、山东大学(2篇)、长鑫存储(2篇)、北京理工大学(1篇)、复旦大学(1篇)、杭州领挚科技有限公司(1篇)、华中科技大学(1篇)、南方科技大学(1篇)、苏州能讯高能半导体有限公司(1篇)、西湖大学(1篇)、浙江大学(1篇)和中国科学院上海微系统与信息技术研究所(1篇)。其中,长鑫存储(CXMT)、杭州领挚科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司(与小米通讯合作)集中展示了在存储、生命科学与射频等领域的最新突破,展现了中国半导体企业的创新实力。
长鑫存储在3DFeRAM与新型多层堆叠DRAM双突破。长鑫存储首次实现单片集成的堆叠式铁电存储(3DFeRAM),提出两层水平堆叠的1T1C三维架构,配备双栅极多晶硅选择晶体管,展现出优异的性能与耐久性,为低功耗非易失性存储奠定基础(12-1 | First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors)。此外,长鑫存储还展示了全球首个BEOL集成的多层DRAM架构,基于IGZO沟道晶体管完成实验验证,并在优化性能与可靠性方面取得突破,为未来高性能DRAM的发展开辟新路径(29-3 | High Performance and Robust Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM with Multi-tiered Architecture)。
IEDM 2025美国入选论文共74篇,按照第一作者所在机构统计,74篇论文来自28个机构。排在前5的分别是佐治亚理工学院(13篇)、IBM研究院(8篇)、斯坦福大学(8篇)、普渡大学(6篇)、圣母大学(4篇)。
机构画像:中美科研力量的类型分布对照
按照第一作者所在机构类型统计,在中国内地的入选论文贡献中,高校占据了绝对主导(约81%),而企业占比相对较低。这反映出国内强大的学术研发能力,同时也暗示了从“学术论文”到“产业成果”的转化路径仍有提升空间。反观美国,其企业界的贡献占比(约33%)显著更高。IBM研究院、英特尔、高通、美光科技、应用材料等巨头在IEDM上比较活跃,积极展示其最新的技术突破。这不仅体现了其深厚的技术储备,更是一种将前沿研究成果与市场领导力绑定的战略展示。
IEDM 2025会议将于2025年12月6日至10日在美国旧金山举行。